晶體三極管應用廣泛、種類繁多；根據(jù)制作工藝和內(nèi)部結構的不同，可以分為NPN型晶體三極管和PNP型晶體三極管（其中又可細分成平面型管、合金型管）；根據(jù)功率的不同，可以分為小功率晶體三極管、中功率晶體三極管和大功率晶體三極管；根據(jù)工作頻率的不同可以分為低頻晶體三極管和高頻晶體三極管；根據(jù)封裝形式的不同，主要可分為金屬封裝型、塑料封裝型、貼片式封裝型等；根據(jù)功能的不同又可以分為放大晶體三極管、開關晶體三極管、光敏晶體三極管等等。
（1）根據(jù)制作工藝和內(nèi)部結構進行分類
晶體三極管由兩個PN結和三個電極構成，常見的晶體三極管結構有平面型和合金型兩類。
平面型和合金型晶體三極管的結構示意見圖8-5。
通常，硅管主要是平面型，鍺管主要是合金型。
在電路圖中，晶體三極管用"VT"、"Q"等符號表示。不同類型的晶體三極管雖然制造方法不同，但在結構上都分成PNP或NPN三層。因此又將晶體三極管分為NPN型和PNP型兩種。國產(chǎn)硅晶體三極管主要是NPN型（3D系列），鍺管主要是PNP型（3A系列）。晶體三極管相應的結構示意圖及電路中的符號如圖8-6所示。
晶體三極管有三個引腳，分別為基極（b)、集電極（c）和發(fā)射極（e）；其中基極(b)是控制極，基極(b)電流的大小控制著集電極（c）和發(fā)射極（e）之間電流的大小。
晶體管是一種電流控制器件，其中基極(b)電流最小，且遠小于另兩個引腳的電流；發(fā)射極（e）電流最大（等于集電極電流和基極電流之和）；集電極（c）電流與基極（b）電流之比即為晶體三極管的放大倍數(shù)B。
各種晶體三極管都分為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)等三個區(qū)域，三個區(qū)域的引出線分別稱為發(fā)射極、基極和集電極，并分別用e、b和c表示。發(fā)射區(qū)域基區(qū)間的PN結稱為發(fā)射結，基區(qū)與集電區(qū)間的PN結稱為集電結。
NPN型和PNP型晶體三極管的工作原理相同，不同的只是使用時連接電源的極性不同，管子各極間的電流方向也不同。
（2）根據(jù)功率進行分類
①小功率晶體三極管 小功率晶體三極管的功率Pc一般小于0.3w，它是電子電路中用得最多的半導體器件之一。
小功率晶體三極管的實物外形見圖8-7。
小功率晶體三極管主要用于放大交、直流信號或應用在振蕩器、變換器等電路中，如用來放大音頻、視頻的信號或作為各種控制電路中的控制器件等。
②中功率晶體三極管 中功率晶體三極管的功率Pc一般在0.3-1W之間。
中功率晶體三極管的實物外形見圖8-8。
這種晶體三極管主要用于驅(qū)動電路和激勵電路之中，或者是為大功率放大器提供驅(qū)動信號。根據(jù)工作電流和耗散功率，適當?shù)倪x擇散熱方式，有的晶體管本射外殼具有一定的散熱功能，耗散功率較大就要另外附加散熱片。
③大功率晶體三極管 大功率晶體三極管的功率Pc一般在1W以上。
大功率晶體三極管的實物外形見圖8-9。
這種晶體三極管由于耗散功率比較大，工作時往往會引起芯片內(nèi)溫度過高，所以通常需要安裝散熱片，以確保三極管良好的散熱。通常情況下，晶體三極管輸出的功率越大，其體積越大，在安裝時所需要的散熱片面積也很大。
（3）根據(jù)工作頻率進行分類
①低頻三極管 低頻晶體三極管的特征頻率
小于3MHz。
低頻晶體三極管的實物外形見圖8-10。
這種晶體三極管多用于低頻放大電路，如收音機的功放電路等。
②高頻三極管 高頻晶體三極管的特征頻率
大于3MHz。
高頻晶體三極管的實物外形見圖8-11。
這種晶體三極管多用于高頻放大電路，混頻電路或高頻振蕩等電路。
在電子產(chǎn)品中，晶體三極管的特征頻率要大于其工作頻率才能保證電路的正常運行。通常，中波收音機中晶體三極管要求工作在3MHz以內(nèi)，但其晶體三極管的特征頻率則至少應在6MHz以上。短波收音機晶體三極管的工作頻率在1.5-30MHz，調(diào)頻收音機的工作頻率為88-108MHz，而電視機的工作頻率從40-800MHz。手機中晶體三極管的工作頻率需要在1900MHz。衛(wèi)星接收機的工作頻率更高（在13GHz）。習慣上，將特征頻率大于3MHz小于1000MHz的三晶體積管稱為高頻晶體三極管，將特征頻率大于1000MHz的晶體三極管稱為超高頻晶體三極管。
信息來源：二三極管
